Иванов В. В. Исследование эффектов оптической близости и разработка методов их коррекции для критических литографических слоев технологии производства СБИС проектных норм 65 нм: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук.— Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка (Моск. обл.), 2021. русский.— 35 с.: ил. Библ.: 20

Орлов О. М. Исследование и разработка конструкций и технологии изготовления самосовмещенных комплементарных полевых транзисторных структур с субмикронными размерами: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук.— Научно-производственный центр "СПУРТ", Зеленоград, 2005. русский.— 39 с.: ил. Библ.: 34

Русаков Д. Н. Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероэпитаксиальных структур SiGe/Si: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук.— Московский государственный институт электронной техники (технический университет), Москва, 2003. русский.— 18 с.: ил. Библ.: 6

Стахин В. Г. Динамическая помехоустойчивость триггерных элементов быстродействующих многофункциональных интегральных систем: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук.— Московский государственный институт электронной техники (технический университет), Москва, 2001. русский.— 23 с.: ил. Библ.: 22

Шишлянников А. В. Исследование методов формирования структур с критическими размерами до 10 нм электронно-лучевой литографией на основе HSQ резиста: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. физ.-мат. наук.— Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка (Моск. обл.), 2021. русский.— 23 с.: ил. Библ.: 5