Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной стабильностью вольт-амперной характеристики к ионизирующим излучениям / Тихомиров В. Г., Вьюгинов В. Н., Гудков А. Г., Городничев А. А., Зыбин А. А., Видякин С. И., Парнес Я. М. — Пат № 2646529 Российская Федерация, МПК H01L 29/772 (2006.01). — № 2016150471; Заявл. 21.12.2016; Опубл. 05.03.2018. — русский

Гетероструктурный полевой транзистор на основе нитрида галлия с улучшенной температурной стабильностью вольт-амперной характеристики / Тихомиров В. Г., Вьюгинов В. Н., Гудков А. Г., Городничев А. А., Зыбин А. А., Видякин С. И., Парнес Я. М., Чижиков С. В. — Пат № 2646536 Российская Федерация, МПК H01L 29/772 (2006.01). — № 2016150464; Заявл. 21.12.2016; Опубл. 05.03.2018. — русский