| Аннотация |
Представлен аналитический обзор перспективных технологических процессов для высокотемпературных аналоговых микросхем, востребованных в космическом, авиационном и автомобильном приборостроении, нефтехимической промышленности, электроэнергетики, электроники военного назначения, медицине и др. Рассмотрены проблемы проектирования микросхем данного класса на широкозонных полупроводниках (карбид-кремний (SiC), нитрид-галлий (GaN), арсенид-галлий (GaAs)), обеспечивающих широкий диапазон рабочих температур (-200°С...+500°С). В настоящее время "слаботочная" схемотехника на SiC, GaN, GaAs шикорозонных полупроводниках для работы при высоких температурах крайне не развита, что не позволяет проектировать аналоговые изделия нового поколения в интересах российских предприятий. Сегодня многие актуальные вопросы SiC, GaN, GaAs высокотемпературной схемотехники и динамики не решены. Необходимы исследования конструктивно-технологических решений, а также отвода тепла. В этой связи в статье проведен анализ проблем проектирования микросхем данных классов. При этом следует учитывать ограничения технологических процессов, которые, во многих случаях, позволяют создавать только однотипные активные элементы, что затрудняет построение микросхем. Актуальность вышеназванных исследований связана с проблемами импортозамещения в условиях санкций, когда закупка электронной компонентной базы ответственного применения у зарубежных фирм становится недоступной. Нужны российские рекомендации по разработки правил проектирования аналоговых интерфейсных микросхем (операционных и мультидифференциальных операционных усилителей, трансимпедансных и зарядочувствительных усилителей, компенсационных стабилизаторов напряжения и буферных усилителей, токовых конвейеров и т.п.) под задачи обработки сигналов датчиков физических величин в диапазоне высоких температур (+150°С... +500°С) |