Статьи за последние 2 года
   
Кристаллизация аморфных слоев GaAs, легированных атомами переходных 3d элементов / Данилов Ю. А., Быков В. А., Вихрова О. В., Дудин Ю. А., Крюков Р. Н., Лесников В. П., Нежданов А. В., Парафин А. Е. // Кластер конференции 2021: 14 Международная научная конференция "Проблемы сольватации и комплексообразования в растворах", 11 Международная научная конференция "Кинетика и механизм кристализации. Кристализация и материалы нового поколения", 6 Международная конференция по химии и хической технологии и 13 Всероссийская школа-конференция молодых ученых "Теоретическая и эксперементальная химия жидкофазных систем", (Крестовские чтения), Иваново, 20-24 сент., 2021.— 2021.— C. 135.— русский
 
Источник: 
 - Книга ( 1 )
 
Автор: 
 - Персоналии ( 8 )
Постоянная ссылка (СИД2) B198538501921
Название Кристаллизация аморфных слоев GaAs, легированных атомами переходных 3d элементов
Автор Данилов Ю. А.
Автор Быков В. А.
Автор Вихрова О. В.
Автор Дудин Ю. А.
Автор Крюков Р. Н.
Автор Лесников В. П.
Автор Нежданов А. В.
Автор Парафин А. Е.
Источник Кластер конференции 2021: 14 Международная научная конференция "Проблемы сольватации и комплексообразования в растворах", 11 Международная научная конференция "Кинетика и механизм кристализации. Кристализация и материалы нового поколения", 6 Международная конференция по химии и хической технологии и 13 Всероссийская школа-конференция молодых ученых "Теоретическая и эксперементальная химия жидкофазных систем", (Крестовские чтения), Иваново, 20-24 сент., 2021
Страницы/Объём 135
Год 2021
Постоянная ссылка (СИД) B19853850
Место хранения ЦНИО
Дата регистрации в ВИНИТИ 27.09.2021
Язык текста русский
Адрес полного текста
Тематический раздел Химия
Издательский номер в РЖ 23.03-19Б3.256
Шифр ГРНТИ 31.15.25
Ключевые слова кристаллизация; аморфные вещества, слои; галлий арсенид, легированный; переходные металлы, использование