Статьи за последние 2 года
   
Время потери работоспособности сложнофункциональных СБИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения / Петров А. Г., Сорокоумов Г. С., Бобровский Д. В. // Российский форум "Микроэлектроника 2022": 8 Научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули", Роза Хутор, 2-8 окт., 2022: Сборник тезисов.— 2022.— C. 299-301.— русский
 
Источник: 
 - Книга ( 1 )
 
Автор: 
 - Персоналии ( 3 )
Постоянная ссылка (СИД2) B211177911243
Название Время потери работоспособности сложнофункциональных СБИС при воздействии импульсного ионизирующего излучения
Автор Петров А. Г.
Автор Сорокоумов Г. С.
Автор Бобровский Д. В.
Источник Российский форум "Микроэлектроника 2022": 8 Научная конференция "Электронная компонентная база и микроэлектронные модули", Роза Хутор, 2-8 окт., 2022: Сборник тезисов
Страницы/Объём 299-301
Год 2022
Постоянная ссылка (СИД) B21117791
Место хранения Удаленный доступ (ИКТ)
Дата регистрации в ВИНИТИ 14.03.2023
Язык текста русский
Аннотация Воздействие импульсного ионизирующего излучения может вызывать различные сбои и временную потерю работоспособности микросхем. В статье описаны примеры нарушения работоспособности и методические рекомендации по определению времени потери работоспособности при воздействии импульсного ионизирующего излучения для сложнофункциональных СБИС, таких как микропроцессоры, ПЛИС, АПЦ/ЦАП, память и др.
Адрес полного текста
Тематический раздел Автоматика и радиоэлектроника
Издательский номер в РЖ 24.06-23АБ.66
Шифр ГРНТИ 47.33.31
Ключевые слова СБИС, сложнофункциональные СБИС, импульсное ионизирующее излучение и, различные сбои, временная потеря работоспособности