| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2125785730 |
| Название |
Параметры плазмы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в смеси HBr/Cl2/Ar |
| Автор |
Ефремов А. М. |
| Автор |
Бетелин В. Б. |
| Автор |
Kwon K.-. |
| Источник |
Микроэлектроника |
| Страницы/Объём |
152-159 |
| Сокращ. назв. источника |
Микроэлектроника |
| Год |
2023 |
| Том |
52 |
| Номер |
2 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=52259116 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J21257857 |
| Ключевые слова (авторские) |
активные частицы%диссоциация%ионизация%кинетика%механизм%параметры |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
04.05.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
Проведено исследование параметров газовой фазы и кинетики реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в условиях индукционного ВЧ (13.56 МГц) разряда при варьировании соотношения HBr/Cl2. Схема исследования включала диагностику плазмы зондами Ленгмюра, моделирование плазмы с целью нахождения стационарных концентраций активных частиц, а также измерение скоростей и анализ механизмов травления в приближении эффективной вероятности взаимодействия. Установлено, что замещение HBr на Cl2 при постоянном содержании аргона: а) сопровождается заметным изменением электрофизических параметров плазмы; б) приводит к слабому росту интенсивности ионной бомбардировки обрабатываемой поверхности; и в) вызывает значительное увеличение суммарной концентрации и плотности потока химически активных частиц. Показано, что скорости травления SiO2 и Si3N4 монотонно возрастают с ростом доли Cl2 в смеси, при этом основным механизмом травления является ионно-стимулированная химическая реакция. Модельное описание кинетики такой реакции в первом приближении предполагает а) аддитивный вклад атомов брома и хлора; и б) прямо-пропорциональную зависимость их эффективных вероятностей взаимодействия от интенсивности ионной бомбардировки. Предположено существование дополнительного канала гетерогенного взаимодействия с участием молекул HCl |