| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2108135X122 |
| Название |
Быстродействующие широкополосные операционные усилители на базовом матричном кристалле |
| Автор |
Дворников О. В. |
| Автор |
Чеховский В. А. |
| Автор |
Прокопенко Н. Н. |
| Автор |
Галкин Я. Д. |
| Автор |
Кунц А. В. |
| Автор |
Чумаков В. Е. |
| Источник |
Известия высших учебных заведений (вузов). Электроника |
| Страницы/Объём |
96-111 |
| Сокращ. назв. источника |
Изв. вузов. Электрон. |
| Год |
2023 |
| Том |
28 |
| Номер |
1 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=50308517 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J2108135X |
| Ключевые слова (авторские) |
базовый матричный кристалл%быстродействующий операционный усилитель%комплементарные биполярные транзисторы%прецизионный операционный |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
02.03.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
В квантово-оптических системах, аппаратуре регистрации быстрых импульсов широко используются быстродействующие операционные усилители. Высокий уровень параметров таких изделий обеспечивается за счет применения современных технологических маршрутов изготовления микросхем, содержащих комплементарные биполярные транзисторы с высокой граничной частотой и малой паразитной емкостью коллектора. В настоящее время в России и Беларуси указанные технологические маршруты изготовления микросхем отсутствуют. В работе для удовлетворения существующей потребности отечественного рынка радиоэлектронной аппаратуры представлены два операционных усилителя на базовом матричном кристалле МН2ХА031 с унифицированными каскадами и возможностью изменения параметров с помощью выбора сопротивлений токозадающих резисторов и емкости корректирующего конденсатора. Описаны электрические схемы и приведены результаты схемотехнического моделирования двух изделий: быстродействующего операционного усилителя OAmp9 с произведением коэффициента усиления напряжения на ширину полосы пропускания (gain bandwidth product) более 600 МГц, скоростью нарастания выходного напряжения более 400 В/мкс при статических параметрах, соответствующих операционным усилителям общего применения, и прецизионного малошумящего усилителя OAmp10 с усилением около 2·106, напряжением смещения менее 50 мкВ и спектральной плотностью напряжения шума, отнесенной ко входу, около 1 нВ/Гц0,5. Сформулированы направления дальнейшей модернизации разработанных усилителей, в частности уменьшение паразитной коллекторной емкости транзисторов конструктивно-технологическим путем и подачей обратного напряжения смещения, применение нелинейных корректирующих цепей, позволяющих приблизить быстродействие усилителей в режиме большого сигнала к малосигнальному |
| Тематический раздел |
Автоматика и радиоэлектроника |
| Издательский номер в РЖ |
23.10-24Е.28 |
| Шифр ГРНТИ |
47.41.33 |
| Ключевые слова |
операционные усилители, базовые матричные кристаллы, быстродействие, паразитные коллекторные емкости |