| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2094673X23 |
| Название |
Рост гексагонального нитрида бора (hBN) на подложках карбида кремния методом сублимации |
| Автор |
Мохов Е. Н. |
| Автор |
Давыдов В. Ю. |
| Автор |
Смирнов А. Н. |
| Автор |
Нагалюк С. С. |
| Источник |
Физика и техника полупроводников |
| Страницы/Объём |
1011-1015 |
| Сокращ. назв. источника |
Физ. и техн. полупровод. |
| Год |
2022 |
| Том |
56 |
| Номер |
10 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=49988312 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J2094673X |
| Ключевые слова (авторские) |
высокотемпературная сублимация из газовой фазы%гексагональный нитрид бора%рамановская |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
28.12.2022 |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
Продемонстрирована возможность роста с использованием метода высокотемпературной сублимации из газовой фазы гексагонального нитрида бора (hBN) высокого структурного совершенства на подложках гексагонального карбида кремния (SiC). Полученные результаты указывают на перспективность использования данного метода для формирования в ходе одного технологического процесса высококачественных гетероструктур hBN/SiC большой площади, которые имеют высокий потенциал для приборных применений |
| Тематический раздел |
Металлургия |
| Тематический раздел |
Физика |
| Издательский номер в РЖ |
23.03-18Е.106 |
| Издательский номер в РЖ |
23.09-15Е.287 |
| Шифр ГРНТИ |
29.19.15 |
| Шифр ГРНТИ |
81.35.33 |
| Ключевые слова |
высокотемпературная сублимация из газовой фазы, гексагональный BN, спектроскопия КР |
| Ключевые слова |
пленки, нитрид бора, механизм роста, гетероструктура, карбид кремния |