| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2108135X106 |
| Название |
Исследование влияния электрического переходного процесса на результаты измерения теплового сопротивления ИС косвенным методом на основе термочувствительного параметра |
| Автор |
Белов Е. Н. |
| Автор |
Королев М. А. |
| Источник |
Известия высших учебных заведений (вузов). Электроника |
| Страницы/Объём |
79-87 |
| Сокращ. назв. источника |
Изв. вузов. Электрон. |
| Год |
2023 |
| Том |
28 |
| Номер |
1 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=50308513 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J2108135X |
| Ключевые слова (авторские) |
интегральная микросхема%тепловое сопротивление%термочувствительный |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
02.03.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
При проектировании теплоотвода мощных ИС, а также ИС специального назначения и при расчете длительности ускоренных испытаний на надежность и долговечность применяется такой параметр, как тепловое сопротивление. Данный параметр измеряется различными методами. В работе рассмотрен метод измерения теплового сопротивления системы кристалл - корпус микросхемы, основанный на использовании термочувствительного параметра для контроля температуры кристалла. Особенность рассматриваемого метода - определение задержки между греющими и измерительными импульсами. Экспериментально показано, что электрический переходной процесс по окончании греющего импульса может длиться от десятков до сотен микросекунд. Исследовано влияние задержки измерительного импульса на точность измерения теплового сопротивления методом постоянной температуры кристалла для разных типономиналов схем. Установлено, что для схем с большими габаритами, имеющими низкое значение теплового сопротивления, минимизация задержки несущественна |
| Тематический раздел |
Автоматика и радиоэлектроника |
| Издательский номер в РЖ |
23.08-23АБ.151 |
| Шифр ГРНТИ |
47.13.11 |
| Ключевые слова |
надежность, ИС, тепловое сопротивление, термочувствительность |