| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2094676455 |
| Название |
Формирование планарных автоэмиссионных приборов на основе углеродных нанотрубок на сплаве Co-Nb-N-(O) |
| Автор |
Громов Д. Г. |
| Автор |
Ерицян Г. С. |
| Автор |
Кицюк Е. П. |
| Автор |
Савицкий А. И. |
| Автор |
Скорик С. Н. |
| Автор |
Дубков С. В. |
| Автор |
Гринаковский Е. Д. |
| Автор |
Булярский С. В. |
| Автор |
Дудин А. А. |
| Автор |
Волкова Л. С. |
| Автор |
Еганова Е. М. |
| Автор |
Трифонов А. Ю. |
| Автор |
Поляков М. В. |
| Автор |
Орлов А. П. |
| Автор |
Рудаков Г. А. |
| Автор |
Светухин В. В. |
| Источник |
Известия высших учебных заведений (вузов). Электроника |
| Страницы/Объём |
723-739 |
| Сокращ. назв. источника |
Изв. вузов. Электрон. |
| Год |
2022 |
| Том |
27 |
| Номер |
6 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=49993426 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J20946764 |
| Ключевые слова (авторские) |
плазмостимулированное химическое осаждение из газовой фазы%планарный электровакуумный диод%сплав%углеродные нанотрубки%электронная |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
28.12.2022 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
Интегральные автоэмиссионные приборы и ИС на их основе являются перспективным направлением микроэлектроники, которое связано с использованием низковольтных и стабильных автоэлектронных эмиттеров на базе наноматериалов, таких как углеродные нанотрубки (УНТ). Планарная конструкция автоэмиссионного прибора позволяет формировать УНТ на торце тонкой пленки катализатора толщиной 1-50 нм. Представлены результаты реализации интегральной технологии изготовления планарных автоэмиссионных диодов с катодом из УНТ, сформированных на торце тонкой проводящей пленки. УНТ выращены методом химического осаждения из паровой фазы. В качестве катализатора для выращивания использована тонкая пленка исходно аморфного сплава Co-Nb-N-(O). Особенность технологии состоит в кристаллизации сплава Co-Nb-N-(O) при нагреве в процессе химического осаждения из паровой фазы. В результате на поверхности сплава формируются наночастицы Co, которые являются катализатором роста УНТ. Показано, что эта особенность позволяет сформировать УНТ локально, только на открытых участках сплава Co-Nb-N-(O), например на торцах тонкой пленки. Обоснован выбор сплава Co-Nb-N-(O). Описаны этапы формирования планарных автоэмиссионных диодов на кремниевой подложке с использованием стандартных производственных технологических процессов. Приведены результаты измерения ВАХ приборов. Показано, что вид ВАХ обусловлен полевой эмиссией, характерной для УНТ. Разработанный технологический прием локального синтеза УНТ на торце топологически оформленных областей тонкой пленки сплава Co-Nb-N-(O) может быть встроен в интегральную технологию формирования планарных автоэмиссионных приборов |
| Тематический раздел |
Автоматика и радиоэлектроника |
| Тематический раздел |
Металлургия |
| Издательский номер в РЖ |
23.05-23АБ.150 |
| Издательский номер в РЖ |
23.07-15Б.54 |
| Шифр ГРНТИ |
47.63.35 |
| Шифр ГРНТИ |
53.07.07 |
| Ключевые слова |
автоэлектронные эмиттеры, автоэмиссионные диоды, углеродные нанотрубки, катализаторы, планарные конструкции, наночастицы кобальта, локальный синтез |