| Постоянная ссылка (СИД) |
T15710624 |
| Название |
Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (РТД) на основе многослойных AlGaAs (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур |
| Автор |
Мешков С. А. |
| Автор |
Макеев М. О. |
| Автор |
Гудков А. Г. |
| Автор |
Иванов Ю. А. |
| Автор |
Иванов А. И. |
| Автор |
Шашурин В. Д. |
| Автор |
Синякин В. Ю. |
| Автор |
Вьюгинов В. Н. |
| Автор |
Добров В. А. |
| Автор |
Усыченко В. Г. |
| Заявитель/ патентообладатель |
МГТУ |
| Номер патентного документа |
2606174 |
| Год |
2017 |
| Регистрационный номер заявки |
2015133039 |
| Дата публикации патентного документа |
10.01.2017 |
| Шифр МПК |
G01R 31/28 (2006.01) |
| Страна |
Российская Федерация |
| Язык текста |
русский |
| Дата подачи заявки на изобретение |
07.08.2015 |
| Обозн. материала носителя |
электронное издание online |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
10.05.2017 |
| Канал поступления |
Патенты из ЦСБД (ПИК) |
| Место хранения |
Патенты из ЦСБД (ПИК) |
| Адрес полного текста |
 |
| Тематический раздел |
Автоматика и радиоэлектроника |
| Издательский номер в РЖ |
17.09-23АБ.51 |
| Шифр ГРНТИ |
47.33.29 |
| Ключевые слова |
резонансно-туннельные диоды, многослойные гетероструктуры, радиационная стойкость |