| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2115745396 |
| Название |
Изменение зарядового состояния МОП-структур с радиационно-индуцированным зарядом при сильнополевой инжекции электронов |
| Автор |
Андреев Д. В. |
| Автор |
Бондаренко Г. Г. |
| Автор |
Андреев В. В. |
| Источник |
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования |
| Страницы/Объём |
55-60 |
| Сокращ. назв. источника |
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед. |
| Год |
2023 |
| Номер |
1 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=50405052 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J21157453 |
| Ключевые слова (авторские) |
МОП-сенсоры%МОП-структура%подзатворный диэлектрик%протонное облучение%радиационно-индуцированный заряд%сильнополевая |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
27.03.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
Изучено влияние режимов сильнополевой инжекции электронов на зарядовое состояние и дефектность МОП-структуры (металл-оксид-полупроводник) после радиационного облучения. Показано, что для стирания радиационно-индуцированного положительного заряда, накапливаемого в пленке SiO2 МОП-структур, необходимо использовать сильнополевую туннельную инжекцию электронов по Фаулеру-Нордгейму при электрических полях, не вызывающих генерацию дырок. Установлено, что стирание радиационно-индуцированного положительного заряда в пленке SiO2 МОП-структур и генерация новых поверхностных состояний в основном определяются величиной заряда, инжектированного в диэлектрик. Установлено, что при аннигиляции захваченных в SiO2 дырок в результате взаимодействия с инжектированными электронами наблюдается существенное увеличение количества поверхностных состояний, значительно превышающих количество поверхностных состояний, возникающих при отжиге радиационно-индуцированного заряда при комнатной температуре. Предложена модель, описывающая процесс аннигиляции радиационно-индуцированного положительного заряда при взаимодействии с инжектированными электронами |
| Тематический раздел |
Физика |
| Издательский номер в РЖ |
23.06-18Е.150 |
| Шифр ГРНТИ |
29.19.21 |
| Ключевые слова |
МОП-структура, радиационно-индуцированный заряд, инжекция электронов, подзатворный диэлектрик |