Статьи за последние 2 года
   
Методика расчета КПД ШИМ модулятора на GaN FET транзисторах / Грычкин С. Е., Захаров А. М., Варламов О. В. // T-Comm: Телекоммуникации и трансп.— 2023 т. 17 № 9.— C. 19-27.— русский; рез.: английский
 
Источник: 
 - Выпуск сериального издания ( 1 )
 
Автор: 
 - Персоналии ( 3 )
Постоянная ссылка (СИД2) J2175388913
Название Методика расчета КПД ШИМ модулятора на GaN FET транзисторах
Автор Грычкин С. Е.
Автор Захаров А. М.
Автор Варламов О. В.
Источник T-Comm: Телекоммуникации и транспорт
Страницы/Объём 19-27
Сокращ. назв. источника T-Comm: Телекоммуникации и трансп.
Год 2023
Том 17
Номер 9
Постоянная ссылка (СИД) J21753889
Место хранения ЦНИО
Дата регистрации в ВИНИТИ 23.11.2023
Язык текста русский
Язык резюме английский
Адрес полного текста
Тематический раздел Автоматика и радиоэлектроника
Издательский номер в РЖ 24.09-24Е.24
Шифр ГРНТИ 47.47.29
Ключевые слова усилители мощности, модуляторы, широтно импульсная модуляция, методика расчета, моделирование, нитрид галлия