Авторефераты и диссертации

Девицкий О. В. Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук .— Южно-Российский государственный политехнический университет (Новочеркасский политехнический институт) им. М. И. Платова, Новочеркасск, 2017.— 24 с. Библ.: 26: ил. — русский

Автор:   - Персоналия ( 1 )   Место защиты:   - Организация ( 1 )   Место выполнения:   - Организация ( 1 )

Постоянная ссылка (СИД) B15729411 Ученая степень канд. техн. наук Шифр специальности ВАК 05.27.06 Год 2017 Язык текста русский Место защиты диссертации Южно-Российский государственный политехнический университет (Новочеркасский политехнический институт) им. М. И. Платова Город защиты диссертации Новочеркасск Библиография (кол-во источников) Библ.: 26 Страницы/Объём 24 с. Иллюстрации, карты ил. Страна Российская Федерация Дата регистрации в ВИНИТИ 15.05.2017 Язык описания русский Обозн. материала носителя текст в печатном издании Канал поступления Бесплатно Место хранения ЦНИО Тематический раздел Автоматика и радиоэлектроника Тематический раздел Металлургия Издательский номер в РЖ 18.07-15Г.244 Издательский номер в РЖ 18.05-23Г.3 Шифр ГРНТИ 47.09.29 Шифр ГРНТИ 53.41.37 Ключевые слова фосфид галлия, арсенид алюминия галлия, AlGaAsP, импульсное лазерное напыление, кремниевые подложки