| Постоянная ссылка (СИД2) |
J21946938153 |
| Название |
Участие дефектов, локализованных на гетерограницах, и протяженных дефектов в деградации светоизлучающих приборов на основе нитридов |
| Автор |
Тальнишних Н. А. |
| Автор |
Иванов А. Е. |
| Автор |
Шабунина Е. И. |
| Автор |
Шмидт Н. М. |
| Источник |
Оптика и спектроскопия |
| Страницы/Объём |
1499-1501 |
| Сокращ. назв. источника |
Оптика и спектроскопия |
| Год |
2023 |
| Том |
131 |
| Номер |
11 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=60019306 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J21946938 |
| Ключевые слова (авторские) |
дефекты%светодиоды |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
12.02.2024 |
| Язык текста |
русский |
| Язык резюме |
английский |
| Аннотация |
Экспериментально исследовано снижение внешней квантовой эффективности (ВКЭ) коммерческих светодиодов на основе квантоворазмерных структур InGaN/GaN на длину волны 445, 530 и AlGaN/GaN на 280 nm в стандартном режиме старения на постоянном токе. Выяснено, что снижение ВКЭ светодиодов (не зависимо от длины волны излучения) происходит в результате кооперативных явлений, развивающихся в 1-2 квантовых ямах (КЯ), находящихся в области объемного заряда (ООЗ) p-n-перехода, а также в большей части КЯ вне ООЗ. Показано, что неоднородное протекание тока в этих областях приводит не только к трансформации дефектов, локализованных на гетерограницах в ООЗ и в латеральных неоднородностях состава твердого раствора вне ООЗ, а также в протяженных дефектах, но и к изменению состава |
| Тематический раздел |
Физика |
| Издательский номер в РЖ |
24.04-18Л.359 |
| Шифр ГРНТИ |
29.31.29 |
| Ключевые слова |
светодиоды, InGaN/GaN, квантоворазмерные структуры, внешняя квантовая эффективность |
|