| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2194693858 |
| Название |
Оценка неоднородности распределения плотности тока и температуры в структурах биполярных и гетеробиполярных высокочастотных и сверхвысокочастотных транзисторов по рекомбинационному излучению |
| Автор |
Сергеев В. А. |
| Автор |
Фролов И. В. |
| Автор |
Казанков А. А. |
| Источник |
Оптика и спектроскопия |
| Страницы/Объём |
1461-1463 |
| Сокращ. назв. источника |
Оптика и спектроскопия |
| Год |
2023 |
| Том |
131 |
| Номер |
11 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=60019296 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J21946938 |
| Ключевые слова (авторские) |
биполярные и гетеробиполярные транзисторы%неоднородность%распределение тока%рекомбинационное излучение |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
12.02.2024 |
| Язык текста |
русский |
| Язык резюме |
английский |
| Аннотация |
Исследованы параметры рекомбинационного излучения, возникающего в структурах биполярных транзисторов в импульсном и стационарном режимах работы. Получены яркостные профили распределения рекомбинационного излучения структуры при включении биполярных транзисторов в диодном режиме, позволяющие оценить неоднородность распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации. На примере транзисторов КТ504А показано, что яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода в диодном включении хорошо описываются выражениями для распределения плотности тока вдоль дорожек металлизации |
| Тематический раздел |
Физика |
| Издательский номер в РЖ |
24.04-18Ж.179 |
| Шифр ГРНТИ |
29.35.47 |
| Ключевые слова |
твердотельные приборы СВЧ, полупроводниковые приборы СВЧ, биполярные транзисторы, яркостные профили рекомбинационного излучения эмиттерного перехода |