Авторефераты и диссертации
Девицкий О. В.
Получение тонких пленок GaP, AlGaAs и AlGaAsP на подложках Si методом импульсного лазерного напыления и исследование их свойств: Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд. техн. наук .— Южно-Российский государственный политехнический университет (Новочеркасский политехнический институт) им. М. И. Платова, Новочеркасск, 2017.— 24 с. Библ.: 26: ил. — русский
Автор:
-
Персоналия ( 1 )
Место защиты:
-
Организация ( 1 )
Место выполнения:
-
Организация ( 1 )
Постоянная ссылка (СИД)
B15729411
Ученая степень
канд. техн. наук
Шифр специальности ВАК
05.27.06
Год
2017
Язык текста
русский
Место защиты диссертации
Южно-Российский государственный политехнический университет (Новочеркасский политехнический институт) им. М. И. Платова
Город защиты диссертации
Новочеркасск
Библиография (кол-во источников)
Библ.: 26
Страницы/Объём
24 с.
Иллюстрации, карты
ил.
Страна
Российская Федерация
Дата регистрации в ВИНИТИ
15.05.2017
Язык описания
русский
Обозн. материала носителя
текст в печатном издании
Канал поступления
Бесплатно
Место хранения
ЦНИО
Тематический раздел
Автоматика и радиоэлектроника
Тематический раздел
Металлургия
Издательский номер в РЖ
18.07-15Г.244
Издательский номер в РЖ
18.05-23Г.3
Шифр ГРНТИ
47.09.29
Шифр ГРНТИ
53.41.37
Ключевые слова
фосфид галлия, арсенид алюминия галлия, AlGaAsP, импульсное лазерное напыление, кремниевые подложки