Патенты
   
Способ контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках / Алексеев А. В., Белоусов В. С., Яремчук А. Ф., Звероловлев В. М., Заикин А. В., Старков А. В., Эйдельман Б. Л., Короткевич А. В. / ТЕЛЕКОМ-СТВ. — Пат № 2515415 Российская Федерация, МПК H01L 21/66 (2006.01). — № 2012151341/28; Заявл. 30.11.2012; Опубл. 10.05.2014 — русский
 
Автор: 
 - Персоналии ( 8 )
Постоянная ссылка (СИД) T13232814
Название Способ контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках
Автор Алексеев А. В.
Автор Белоусов В. С.
Автор Яремчук А. Ф.
Автор Звероловлев В. М.
Автор Заикин А. В.
Автор Старков А. В.
Автор Эйдельман Б. Л.
Автор Короткевич А. В.
Заявитель/ патентообладатель ТЕЛЕКОМ-СТВ
Номер патентного документа 2515415
Год 2014
Регистрационный номер заявки 2012151341/28
Дата публикации патентного документа 10.05.2014
Шифр МПК H01L 21/66 (2006.01)
Страна Российская Федерация
Язык текста русский
Дата подачи заявки на изобретение 30.11.2012
Обозн. материала носителя электронное издание online
Дата регистрации в ВИНИТИ 26.01.2015
Канал поступления Патенты из ЦСБД (ПИК)
Место хранения Патенты из ЦСБД (ПИК)
Адрес полного текста
Тематический раздел Автоматика и радиоэлектроника
Издательский номер в РЖ 15.05-23Г.7
Ключевые слова кремний, эпитаксиальные слои, диэлектрические подложки, дефекты, неразрушающий контроль