Постоянная ссылка (СИД) |
T13232814 |
Название |
Способ контроля дефектности эпитаксиальных слоев кремния на диэлектрических подложках |
Автор |
Алексеев А. В. |
Автор |
Белоусов В. С. |
Автор |
Яремчук А. Ф. |
Автор |
Звероловлев В. М. |
Автор |
Заикин А. В. |
Автор |
Старков А. В. |
Автор |
Эйдельман Б. Л. |
Автор |
Короткевич А. В. |
Заявитель/ патентообладатель |
ТЕЛЕКОМ-СТВ |
Номер патентного документа |
2515415 |
Год |
2014 |
Регистрационный номер заявки |
2012151341/28 |
Дата публикации патентного документа |
10.05.2014 |
Шифр МПК |
H01L 21/66 (2006.01) |
Страна |
Российская Федерация |
Язык текста |
русский |
Дата подачи заявки на изобретение |
30.11.2012 |
Обозн. материала носителя |
электронное издание online |
Дата регистрации в ВИНИТИ |
26.01.2015 |
Канал поступления |
Патенты из ЦСБД (ПИК) |
Место хранения |
Патенты из ЦСБД (ПИК) |
Адрес полного текста |
|
Тематический раздел |
Автоматика и радиоэлектроника |
Издательский номер в РЖ |
15.05-23Г.7 |
Ключевые слова |
кремний, эпитаксиальные слои, диэлектрические подложки, дефекты, неразрушающий контроль |