| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2081043955 |
| Название |
Оценка влияния структурных особенностей кристалла на стойкость ДМОП транзисторов к ионизирующему излучению |
| Автор |
Харченко М. Э. |
| Автор |
Дорохов В. А. |
| Автор |
Колесников М. И. |
| Источник |
Моделирование систем и процессов |
| Страницы/Объём |
128-136 |
| Сокращ. назв. источника |
Моделир. систем и процессов |
| Год |
2022 |
| Том |
15 |
| Номер |
3 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J20810439 |
| Место хранения |
ЦНИО |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
01.11.2022 |
| Язык текста |
русский |
| Язык резюме |
английский |
| Адрес полного текста |
 |
| Тематический раздел |
Автоматика и радиоэлектроника |
| Издательский номер в РЖ |
23.02-23АБ.33 |
| Издательский номер в РЖ |
23.05-62.267 |
| Шифр ГРНТИ |
47.33.29 |
| Шифр ГРНТИ |
89.25.47 |
| Ключевые слова |
ДМОП-ПТ, критическая напряженность электрического поля, ионизирующее излучение, TCAD моделирование |
| Ключевые слова |
космическая радиация, ионизирующее излучение, воздействие на бортовые системы КА |