| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2094836894 |
| Название |
Исследование электрических свойств фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния с покрытиями из фторидов редкоземельных элементов |
| Автор |
Полуэктова Н. А. |
| Автор |
Шишкина Д. А. |
| Автор |
Базанов А. Н. |
| Автор |
Перебалин Р. А. |
| Автор |
Шишкин И. А. |
| Автор |
Латухина Н. В. |
| Автор |
Рогожина Г. А. |
| Источник |
Физика волновых процессов и радиотехнические системы |
| Страницы/Объём |
67-73 |
| Сокращ. назв. источника |
Физ. волн. процессов и радиотехн. системы |
| Год |
2022 |
| Том |
25 |
| Номер |
4 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=50021453 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J20948368 |
| Ключевые слова (авторские) |
пористый кремний%фоточувствительные структуры%фторид |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
05.01.2023 |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
Рассмотрено влияние пористого кремния и пленок фторида диспрозия на вольт-амперные характеристики фоточувствительных структур пониженной размерности на основе кремния. Описаны процессы создания и исследования полученных фоточувствительных структур. Приведены вольт-амперные характеристики структур до и после нанесения покрытия. В исследовании обнаружено положительное влияние пористого кремния и покрытия фторида диспрозия на вольт-амперные характеристики структур как с пористым кремнием, так и без него. Получены значения оптимальной толщины покрытия фторида диспрозия для пористых фоточувствительных структур. Показано, что покрытия фторида диспрозия оказывают не всегда положительное влияние на такие параметры фоточувствительных структур, как ток короткого замыкания и напряжение холостого хода, поскольку это связано с неравномерностью нанесения пленки на поверхность структуры |
| Тематический раздел |
Физика |
| Тематический раздел |
Химия |