| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2108135X90 |
| Название |
Исследование реакционной способности структуры por-Si/Pd по отношению к парам этанола |
| Автор |
Силаков Г. О. |
| Автор |
Лазоркина Е. Н. |
| Автор |
Гаврилов С. А. |
| Автор |
Воловликова О. В. |
| Автор |
Железнякова А. В. |
| Автор |
Дудин А. А. |
| Источник |
Известия высших учебных заведений (вузов). Электроника |
| Страницы/Объём |
7-16 |
| Сокращ. назв. источника |
Изв. вузов. Электрон. |
| Год |
2023 |
| Том |
28 |
| Номер |
1 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=50308491 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J2108135X |
| Ключевые слова (авторские) |
металл-стимулированное химическое травление%пористый кремний%резистивные газовые |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
02.03.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
На сегодняшний день наиболее используемым типом сенсоров паров этанола являются резистивные газовые сенсоры на основе полупроводников. Применение в качестве чувствительной структуры пористого кремния, например por-Si/Pd, сформированной металл-стимулированным травлением, позволяет формировать чувствительный элемент и электронную обвязку в едином технологическом процессе. В работе показана возможность формирования резистивных газовых сенсоров методом металл-стимулированного химического травления кремния. Сформированы экспериментальные образцы на основе пористого кремния p - и n -типа проводимости. Представлено эмпирическое объяснение механизма чувствительности к этанолу исследуемых структур. Показана возможность формирования чувствительной структуры и электронной обвязки в едином технологическом процессе |
| Тематический раздел |
Химия |
| Издательский номер в РЖ |
23.05-19Л.8 |
| Шифр ГРНТИ |
61.31.47 |
| Ключевые слова |
этиловый спирт, пары; кремний, пористый; травление, химическое металл-стимулированное; палладий; реакционная способность; полупроводники; сенсоры, резистивные газовые |