| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2118073062 |
| Название |
Планарный магнетрон с ротационным центральным анодом, распыляемым ионным пучком |
| Автор |
Семенов А. П. |
| Автор |
Цыренов Д. Б.-. |
| Автор |
Семенова И. А. |
| Источник |
Приборы и техника эксперимента |
| Страницы/Объём |
145-148 |
| Сокращ. назв. источника |
Приборы и техн. эксперим. |
| Год |
2023 |
| Номер |
1 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=50434981 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J21180730 |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
03.04.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Аннотация |
Разработан планарный магнетрон с ротационным центральным анодом. Центральный плоский анод, выполняющий функции мишени, распыляемой ионным пучком, установлен с возможностью вращения и под углом 45°-50° относительно направления падения распыляющего ионного пучка, причем ось вращения анода совпадает с осью симметрии ионного пучка. Расчет коэффициента распыления медного центрального анода магнетрона показывает, что при наклонном падении распыляющих ионов и прочих равных условиях обеспечивается рост коэффициента распыления медного анода магнетрона с 6 до 9 атомов на один падающий ион, при этом достигается максимальная кучность распыленных атомов меди на ростовой поверхности подложек. Планарный магнетрон предлагаемой конструкции имеет более широкие функциональные возможности, в частности, при синтезе наноструктурированных композитных покрытий TiN-Cu. Однородная глобулярная структура ростовой поверхности покрытия TiN-Cu с размерами глобул в пределах 50-100 нм указывает на нормальный (негранный) механизм роста. Микротвердость покрытий составляет примерно 42 ГПа |
| Тематический раздел |
Физика |
| Издательский номер в РЖ |
23.09-18Г.344 |
| Шифр ГРНТИ |
29.27.43 |
| Шифр ГРНТИ |
29.27.51 |
| Ключевые слова |
ионная и плазменная имплантация, распыление и осаждение; разряд в скрещенных полях; взаимодействие тяжелых частиц с поверхностями |