| Постоянная ссылка (СИД2) |
J2154689191 |
| Название |
Эффект стабилизации времени жизни носителей заряда в полупроводниках в магнитном поле |
| Автор |
Муратов Т. Т. |
| Источник |
Вестник Московского государственного университета (МГУ). сер. 3. Физика. Астрономия |
| Страницы/Объём |
2320503 |
| Сокращ. назв. источника |
Вестн. МГУ. сер. 3 |
| Год |
2023 |
| Номер |
2 |
| Адрес в Интернет |
http://elibrary.ru/item.asp?id=54310814 |
| Постоянная ссылка (СИД) |
J21546891 |
| Ключевые слова (авторские) |
"мелкие" акустические фононы%время жизни%каскадный захват%классически"сильное" магнитное поле%рекомбинация%электрон-электронные столкновения%эффективный коэффициент захвата |
| Место хранения |
Удаленный доступ. Эл. регистр. НЭБ |
| Дата регистрации в ВИНИТИ |
24.08.2023 |
| Язык текста |
русский |
| Язык резюме |
английский |
| Аннотация |
Анализируются условия регулирования роста времени жизни носителей заряда при рекомбинационных процессах в полупроводниках при низких температурах (1-10) K и классически "сильных" магнитных полях (3×102-3×104) Гс. Значения концентрации носителей (1010-1014) см-3 соответствуют условиям проявления как каскадного, так и резонансного захвата. Указывается на необходимость учета рассеяния электронов на акустических фононах, наряду с электрон-электронными столкновениями, при их каскадном захвате на кулоновские центры. Как показано (на основе конкретных оценок), именно учет рассеяния на акустических фононах, стабилизирует время жизни и контролирует динамику его роста в присутствии"сильного" магнитного поля |
| Тематический раздел |
Физика |
| Издательский номер в РЖ |
23.11-18Ф.173 |
| Шифр ГРНТИ |
29.19.31 |
| Ключевые слова |
полупроводники, механизмы рекомбинации носителей |